- SOI소자 제죠를 위한 ZMR공정의 모델링
- ㆍ 저자명
- 왕종회,김도현
- ㆍ 간행물명
- 한국결정성장학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1995년|5권 2호|pp.100-108 (9 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국결정성장학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
SOI구조를 얻기 위한 방법의 한가지인 ZMR공정에 있어서 열전달은 계면의 위치와 모양을 결정하는 중요한 역할을 한다. 본 연구에서는 SOI구조를 얻기 위한 ZMR공정중의 열전달 공정을 모사할 수 있는 의사정상상태 2차원 ZMR모델을 수립하였다. 본 모델은 복사, 전도 그리고 대류 열전달을 포함하며, 고/액 계면의 위치를 결정한다. 모델로부터 구한 수치해는 실리콘 기판의 용융부에서의 유동장, 전체 SOR구조에서의 온도장 그리고 실리콘 박막과 기판에서의 고/액 계면의 위치를 포함한다. 여러 공정 변수들의 변화에 따른 온도장과 계면의 형상과 폭의 변화를 알아보았다.
Heat transfer plays a critical role in determining interface location and shape in ZMR process, which is used for the fabrication of silicon - on - insulator structure. In this work, the two - dimensional pseudo - steady - state ZMR model has been developed that can simulate the heat transfer process during ZMR process. It contains the radiation, convection and conduction heat transfer and determines the interface shapes. Numerical solutions from the model include flow field in the molten zone, temperature field in the full SOl structure and the location of solid/liquid interface in the silicon thin film and silicon substrate. We examined the effects of the various system parameters on the temperature profiles and the interface shape.