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SYNTHESIS OF ULTRAFINE $Si_3N_4$ PARTICLES BY RF PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
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  • SYNTHESIS OF ULTRAFINE $Si_3N_4$ PARTICLES BY RF PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
  • SYNTHESIS OF ULTRAFINE $Si_3N_4$ PARTICLES BY RF PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
저자명
Hongjie. Zhu,Zhu. Yihua,Han. Jinyi,Li. Chunzhong,Hu. Liming
간행물명
Fabrication and Characterization of Advanced Materials
권/호정보
1995년|1권 2호|pp.281-286 (6 pages)
발행정보
한국재료학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Processing of synthesis $Si_3N_4$ UFP in the RFCVD reactor, using $SiCl_4$ and $NH_3$ as precursors, were experimentally researched. The influence of some operation parameters on the properties of products was investigaed. The nanostructured material made of such $Si_3N_4$ particles was fabricated under highpressure. The results of experiments indicated that it differed from the materials made of coarse $Si_3N_4$ powder on some electric properties.