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STURCUTURE INDUCED MODIFICATION IN THE FERROELECTRIC AND CURRENT CONDUTION BEHAVIOUR OF PZT THIN FILMS
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저자명
Ramezani daevish. S.,Rastogi. A.C.,Bhatnagar. P.K.
간행물명
Fabrication and Characterization of Advanced Materials
권/호정보
1995년|2권 |pp.1031-1036 (6 pages)
발행정보
한국재료학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Crystalline structure induced effecs on the ferroelectric and current conduction properties in electron beam deposited PZT thin films are described. $TiO_2$ dispersion in PZT reduces dielectric constant and charge storage density to 270 and $3.5;{mu}C/cm^2$ and increases carrier density. Pyrochlore PZT inclusion cause further reduction to 60 and $77fC/cm^2$ but have no effect on the microscpic polarization. Activated conduction energy 0.25-0.3eV is observed in $TiO_2$ mixed PZT. Low field conduction is ohmic and changes to space charge limited at a threshold field $8{ imes}10^4;V/cm$. Inclusion of pyrochlore phase causes deep traps ${ hickapprox}5{ imes}10^18cm^-3$ and increased hole density of ${ hickapprox};3{ imes}10^11;cm^-3$.