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$(CH_3)_3N$ 가스 감지용 ZnO 박막 가스 센서의 제조
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  • $(CH_3)_3N$ 가스 감지용 ZnO 박막 가스 센서의 제조
  • Fabrication of ZnO thin film gas sensor for detecting $(CH_3)_3N$ gas
저자명
신현우,박현수,윤동현,홍형기,권철한,이규정
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1995년|8권 1호|pp.21-26 (6 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
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주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Highly sensitive and mechanically stable gas sensors have been fabricated using the microfabrication and micromaching techniques. The sensing material used to detect the offensive trimethylarnine ((CH$_{3}$)$_{3}$N) gas is 6 wt% $Al_{2}$O$_{3}$-doped, 1000.angs.-thick ZnO deposited by r. f. magnetron sputtering. The optimum operating temperature of the sensor is 350.deg.C and the corresponding heater power is about 85mW. Excellent thermal insulation is achieved by the use of a double-layer structure of 0.2.mu.m -thick silicon nitride and 1.4.mu.m-thick phosphosilicate glass(PSG) prepared by low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) and atmospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD), respectively. The sensors are mechanically stable enough to endure at least 43, 200 heat cycles between room temperature and 350.deg. C.