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반응성 직류마그네트론 스퍼터링에 의한 ITO박막 형성에 관한 연구
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  • 반응성 직류마그네트론 스퍼터링에 의한 ITO박막 형성에 관한 연구
  • The study on formation of ITO by DC reacrive magnetron sputtering
저자명
하홍주,조정수,박정후
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1995년|8권 6호|pp.699-707 (9 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
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주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The material that is both conductive in electricity and transparent to the visible ray is called transparent conducting thin film. It has many fields of application such as Solar Cell, Liquid Crystal display, Vidicon on T.V, transparent electrical heater, selective optical filter, and a optical electric device , etc. In the recent papers on several TCO( transparent conducting oxide ) material, the study is mainly focusing on ITO(indium tin oxide) because ITO shows good results on both optical and electrical properties. Nowaday, in the development of LCD(Liquid Crystal display), the low temperature process to reduce the production cost and to deposit ITO on polymer substrate (or low melting substrate) has been demanded. In this study, we prepared indium tin oxide(ITO) by a cylindrical DC magnetron sputtering with Indium-tin (9:1) alloy target instead of indium-tin oxide target. The resistivity of the film deposited in oxygen partial pressure of 5% and substrate temperature of 140.deg. C. is 1.6*10$^$-4/.ohm..cm with 85% optical transmission in viaible ray.