- As 이온이 주입된 단결정 실리콘(100)의 전기적 활성화 연구
- ㆍ 저자명
- 이동건,문영희,손정식,손정식,김동렬,배인호,김말문,한병국,정광화
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1995년|4권 1호|pp.104-108 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Hall 효과 측정을 이용하여 As+이 주입된 다결정 실리콘의 열처리 조건에 따른 활성화 과정을 연구하였다. 주입된 이온의 농도 분포는 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREMIV 모의 실험으로 조사하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 활성층의 전자 면 농도 증가가 뚜렷이 나타났으며, Hall 이동도의 온도 의존성 측정으로 주입된 도우즈에 따라 이온 주입층의 활성화에 필요한 열처리 온도가 달라져야함을 알 수 있었다. 그리고, 접합 손실전류의 감소는 $800^{circ}C$(30분)의 열처리에서 현저하게 나타났다.