단결정 실리콘에 P,B,As 등의 dopant를 이온주입시켰을 때 상부에 스퍼터된 Ti과 고상반응에 의해 형성된 Ti 실리사이드막에 발생되는 blister 현상에 대해 조사했다. Dopant에 관계없이 dose양이 많을수록 Ti 실리사이드막에서 blister의 크기와 밀도가 증가한다. 실리콘 표면에 dopant를 주입한 후 열처리를 하여 damage를 줄여줌으로써 blister의 양을 줄일수 있었다. 이 때 열처리온도가 높을수록 blister의 수가 감소한다.