- AI planarization 기술에서 MOCVD TiN 박막의 barrier 특성
- ㆍ 저자명
- 홍정의,김창렬,김준기,변정수,나관구,김우식
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1995년|4권 |pp.21-27 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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AI planarization 공정을 위한 barrier로서 CVD 및 PVD 방법에 의해 증착된 TiN 박막의 특성에 대하여 연구하였다. CVD TiN은 TDMAT source를 사용한 MOCVD방법으로 증착하였으며, PVD TiN은 1:1 aspect ratio(A/R)를 갖는 collimator를 사용한 reactive wputtering법으로 증착하였다. AES, SEM을 이용하여 CVD TiN과 PVD TiN의 조성을 분석하고 barrier 특성을 평가하였다. CVD TiN, PVD TiN 모두 400$AA$의 두께와 RTA 처리에 의해서 AI planarization에 대한 양호한 barrier 특성을 확보할 수 있었다.