- Hetero-Epi막 성장용 사파이어 기판의 산에칭
- ㆍ 저자명
- 김향숙,황진수,정필조,Kim. Hyang Sook,Hwang. Jin Soo,Chong. Paul Joe
- ㆍ 간행물명
- 대한화학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1995년|39권 1호|pp.1-6 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한화학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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단결정 적층막을 제조하기 위해 사용되는 사파이어 기판에 대하여 황산과 인산의 혼합용액 화학적 에칭을 조사하였다. 여러가지 배향면의 사파이어에 대한 에칭정도는 황산과 인산의 3:1 조성과 $315{pm}2^{circ}C$에서 에칭시간에 의존하였다. 280~320$^{circ}C$ 범위에서 30분간씩 산에칭시킨 후에 에칭속도(R)를 구하였고, log R에 대한 $1/T$ semilog plot로부터 활성화에너지$(E_a)$를 구하였으며, 그것은 $({ar1}012) > (10{ar1}0) > (11{ar2}0) > (0001)$면 순서로 감소하였다. 한편 (0001), $({ar1}012),;(10{ar1}0)$과 $(11{ar2}0)$면의 표층 두께를 각각 64.6, 46.5, 16.2와 5.1 ${mu}m$ 에칭시킨 후의 기판 표면을 SEM으로 관찰하였다.
The surface of a sapphire substrate used for hetero-epitaxy was chemically polished in a mixture of $H_3PO_4;and;H_2SO_4$ solution. The extent of etching for various crystal orientations was found to be dependent on the etching time at $315{pm}2^{circ}C$ and at the composition of $H_2SO_4 : H_3PO_4$=3 : 1. In addition, the etching rates of the substrates were investigated in the mixture of $H_2SO_4 : H_3PO_4$=3 : 1 by volume and in the temperature range of 280~320$^{circ}C$. From the plot of log R against 1/T, the activation penergy ($(E_a)$) was found to be in the order of $({ar1}012) > (10{ar1}0) > (11{ar2}0) > (0001)$ plane. After removing the surface layers of the sapphire with (0001), $({ar1}012),;(10{ar1}0);and;(11{ar2}0)$ plane by a thickness of 64.6, 46.5, 16.2 and 5.1 ${mu}m$, respectively, the morphology of the resulting surface was observed by SEM.