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마이크로-소프트 포트란을 이용한 복합 산화물 결정의 분자 궤도함수 계산
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  • 마이크로-소프트 포트란을 이용한 복합 산화물 결정의 분자 궤도함수 계산
저자명
구현주,이광순,안운선,Koo. Hyun-Joo,Lee. Kwang-Soon,Ahn. Woon-Sun
간행물명
대한화학회지
권/호정보
1995년|39권 9호|pp.685-691 (7 pages)
발행정보
대한화학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

결정 분자 궤도함수[EHTB]를 계산할 수 있는 VAX 컴퓨터용 EHMACC와 EHPC 프로그램을, 마이크로-소프트 포트란을 이용하는 PC로 계산할 수 있도록 변환하였다. 이 프로그램을 이용하여 perovskit 구조의 $LaNiO_3$ 단위세포와 ($2{ imes}2{ imes}1$)으로 확장된 구조에 대한 띠 구조를 계산한 결과, ${Gamma}{ ightarrow}H,;H{ ightarrow}N$ 및 $N{ ightarrow}{Gamma}$ 방향(2차원)에서는 bend gap이 0.35eV인 반도체의 성질을 나타내고, ${Gamma}{ ightarrow}P$와 $P{ ightarrow}N$ 방향(3차원)에서는 금속성의 성질을 나타내었다. 또 이들 결정에 관한 DOS와 COOP를 고찰한바, $LaNiO_3$에서 산소원자의 DOS는 니켈원자의 결함보다는 산소원자의 위치에 영향을 받아 서로 다른 종류의 산소원자로 존재할수 있음을 알았다.

기타언어초록

EHMACC and EHPC programs written in VAX version to calculate the tight-binding extended Huckel method is converted into the micro-soft fortran available to PC. The band calculation of LaNiO3 unit cell and extended ($2{ imes}2{ imes}1$) cell with perovskite structure is made by the PC/386 and PC/486. The calculation is also made for the DOS and the COOP. It is supposed that the electronic property of $LaNiO_3$ is semiconductor along to the ${Gamma}{ ightarrow}H,;H{ ightarrow}N,;and;N{ ightarrow}{Gamma}(2D)$ direction with band gap about 0u.35 eV, while metal property in ${Gamma}{ ightarrow}P;and;P{ ightarrow}N(3D)$ direction. The oxygen atom property in $LaNiO_3$ is more effectively affected by oxygen atom position than defect of nickel atom.