precuror alternating metalorganic chemical vapor deposition(PAMOCVD)에 의한 InGaAs의 성장시에 높은 indium의 유입이 관찰되었다. gallium과 indium의 전구물질의 분해의 차이 그리고 이에따른 분해된 전구물질 분자의 흡착행동의 차이를 고려함으로써 PAMOCVD 성장시의 결정내로의 높은 indium유입의 mechanism을 제안하였다.
High indium incorporation was observed in InGaAs growth by precursor alternating metalorganic chemical vapor deposition (PAMOCVD). A possible mechanism of high indium incorporation into the crystal in PAMOCVD was proposed by considering the decomposition products of gallium and indium precursors, and thus the different adsorption behavior of the decomposed precursor molecules.
