- 전류 스위칭 시스템의 CFT 오차 감소에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 최경진,이해길,신홍규
- ㆍ 간행물명
- 한국통신학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 1996년|21권 5호|pp.1325-1331 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국통신학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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본 논문에서는 전류 스위칭(switched-current:SI) 시스템에서 THD(total harmonic distortion) 증가 원인인 클럭피드스루(clock feedthrough:CFT) 오차 전압을 감소시키는 새로운 전류 메모리(current-memory) 회로를 제안하였다. 제안한 전류 메모리는 CMOS 상보형의 PMOS 트랜지스터를 이용하여 CFT 오차 전압에 의한 출력 왜곡 전류를 감소시킨다. 제안한 전류 메모리 회로를 $1.2{mu}{ extrm{m}}$ CMOS 공정을 사용하여 설계하고, 입력으로 전류 크기 $68{mu}{ extrm{m}}$인 1MHz 정현파 신호를 인가하였다.(샘플링 주파수:20MHz) 모의 실험 결과, 기존의 전류 메모리보다 CFT 오차 전압에 의한 출력 왜곡 전류가 10배 정도 감소를 나타내었으며 신호 대 바이어스 전류비가 0.5(peak signal-to-bias current ratio:i/J)인 1KHz 신호를 인가할 경우 THD는 -57dB이다.
In this paper, a new current-memory circuit is proposed that reduces the clock feedthrough(CFT) error voltage causing total harmonic distortion(THD) increment in switched-current(SI) systems. Using PMOS transistor in CMOS complementary, the proposed one reduces output distortion current due to the CFT errorvoltage. A proposed current-memory is designed using a 1.2.mu.m CMOS process anda 1MHz sinusoidal signal having a 68.mu.A amplitude current is applied as input (sampling frequency:20MHz). It hasbeen shown from the simulation that the output distortion current effected by the CFT error voltage is reduced by approximately 10 times the error voltage of conventional one, THD is -57dB in case ofappling 1kHz frequency input signalwith 0.5 peak signal-to-bias current ratio.