스퍼터링 방법에 의하여 유리 기판위에 ZnO 박막을 형성하여 증착막의 전기, 광학적 특성을 조사하였다. 실온에서 180 W의 고주파 전력과 $1{ imes}10^{-3}$ Torr의 스퍼터링 압력일 때 증착된 박막에서 가장 강한 c축 배향성과 가장 낮은 저항률 값($1{ imes}10^{-4}{Omega}{cdot}cm$)을 나타내었고, 이 때의 캐리어 농도 및 홀 이동도는 각각 $6.27{ imes}10^{20}cm^{-3}$와 $22.04cm^{2}/V{cdot}s$이었다. 증착된 ZnO 박막의 가시광 투과율은 90% 이상을 나타내었으며 330 nm 이하의 자외선 영역과 830 nm 이상의 적외선 영역에서는 뛰어난 광 차단 효과를 나타내었다. 또한 증착된 박막을 수소 분위기에서 열처리함으로써 저항률이 감소하였고, 안정된 박막을 얻을 수 있었다.
ZnO thin film had been deposited on the glass by sputtering method, and investigated by optical and electrical properties. When the rf power was 180W and sputtering pressure was $1{ imes}10^{-3}$Torr at room temperature, thin lam deposited had strongly oriented c-axis and the lowest resistivity($1{ imes}10^{-4}{Omega}{cdot}cm$), and then carrier concentration and Hall mobility were $6.27{ imes}10^{20}cm^{-3}$ and $22.04cm^{2}/V{cdot}s$, respectively. Transmittance of ZnO thin film in visible range was above 90%, and this thin film cut of the ultraviolet range below 320nm and the infrared range above 850nm. And after annealing in hydrogen atmosphere, the resistivity of ZnO thin film was somewhat decreased, while obtained as stable state.
