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p형 InGaAs-InAlAs 결합양자우물을 이용한 흡수계수스펙트럼의 broadening
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  • p형 InGaAs-InAlAs 결합양자우물을 이용한 흡수계수스펙트럼의 broadening
  • Broadening of absorption spectrum in a p-type InGaAs-InAlAs coupled Quantum well
저자명
김경환,김성준
간행물명
電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D
권/호정보
1997년|3호|pp.34-40 (7 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Intervalence subband absroption of normally incident infrared radiation in p-type InGaAs-InAlAs coupled quantum well (CQW) is theoretically investigated by the multiband effective mass formalism. By solving a 4*4 luttinger-kohn hamitonian, we calculate valence subband structures, intervalence subband transition matrix elements, and absorption coefficient spectrum in the CQW which consists of a wider well, a thinner well and a barreir between them. Using the flexible design parameters given to the valence band CQW structure, we show that the absorption coefficient profile can be tailored. For a carefully designed CQW, theabsorption coefficient cn be made to maintain a large value over a wider wavelength range of incident infrared radiation compared with that shown in intersubband absorption in usual single quantum well.