기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
장바구니
 고객센터
본문검색
  • 검색 히스토리
실시간 인기검색어
서지반출
바이어스 효과를 포함하는 GaAs MESFET의 새로운 비선형 채널전류 모형
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • 바이어스 효과를 포함하는 GaAs MESFET의 새로운 비선형 채널전류 모형
  • A new MeSFET channel current model including bias-dependent dispersion effect
ㆍ 저자명
노태문,김영식,김영웅,박위상,김범만
ㆍ 간행물명
電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D
ㆍ 권/호정보
1997년|4호|pp.17-26 (10 pages)
ㆍ 발행정보
대한전자공학회
ㆍ 파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

A enw channel current model of GaAs MeSFET suitagle for applications to microwave CAD has been developed. The current model includes the bias-dependent frequency dispersion effects and its parameters are extracted from the pulsed I-V measurements at several quiescent bias points. The model is verified by applying to the nonlinear circuit designs of power amplifier and MMIC mixer.

다운URL