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A 10-Gbit/s Limiting Amplifier Using AlGaAs/GaAs HBTs
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  • A 10-Gbit/s Limiting Amplifier Using AlGaAs/GaAs HBTs
  • A 10-Gbit/s Limiting Amplifier Using AlGaAs/GaAs HBTs
저자명
Park. Sung-Ho,Lee. Tae-Woo,Kim. Yeong-Seuk,Kim. Il-Ho,Park. Moon-Pyung
간행물명
Journal of electrical engineering and information science
권/호정보
1997년|2권 6호|pp.197-201 (5 pages)
발행정보
한국정보과학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

To realize 10-Gbit/s optical transmission systems, we designed and fabricated a limiting amplifier with extremely high operation frequencies over 10-GHz using AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs), and investigated their performances. Circuit design and simulation were performed using SPICE and LABRA. A discrete AlGaAs/GaAs HBT with the emitter area of 1.5${ imes}$10$mu extrm{m}$$^2$, used for the circuit fabrication, exhibited the cutoff frequency of 63GHz and maximum oscillation frequency of 50GHz. After fabrication of MMICs, we observed the very wide bandwidth of DC∼15GHz for a limiting amplifier from the on-wafer measurement. Ceramic-packaged limiting amplifier showed the excellent eye opening, the output voltage swing of 750mVulcorner, and the rise/fall time of 40ps, measured at the data rates of 10-Gbit/s.