- Al-Si/${SiC}_{p}$ 복합재료 용탕에서 SiC 입자의 침강
- ㆍ 저자명
- 김종찬,권혁무,Kim. Jong-Chan,Gwon. Hyeok-Mu
- ㆍ 간행물명
- 한국재료학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1997년|7권 2호|pp.145-151 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국재료학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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AI-xSi/ySiC( x:6~18wt%, y: 3~9wt%, SiC 입자크기: $10~28{mu}m$) 복합재료를 재용해한 후 항온 유지하고 응고 시킬때 SiC 입자가 몰드의 하부로 침강하는 현상을 계통적으로 조사하였다. AI-Si/SiC 복합재료 용탕을 항온으로 유지하면 입자가 없는 지역은 유지시간이 약 처음 30분 동안 빠르게 증가한다. SiC 입자가 크기가 클수록 SiC입자의 크기가 클수록 SiC입자의 침강속도가 빠르다. 또한 복합재료중 철가한 SiC 입자의 부피분율이 증가하면 입자의 침강속도는 감소한다.
Remelting of $A-Si/SiC_{p}$ composites followed by isothermal holding and solidification, leads ro the settling of Sic particles to the bottom of the mold. With the isothermal holding time for molten $A-Si/SiC_{p}$ composites. the particle free zone increases rapidly up to approximately first 30 minutes of the holding time. Experimental resulls of the particle settling confirm that the larger SIC particles sink faster tlun the sniiller particles. An increase in volume fraction of Sic particles decreases the setrling velocity of the particles.