HVPE를 이용하여 sapphire기판 위에서 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도가 100$0^{circ}C$에서 110$0^{circ}C$로 증가하여도 성장속도는 영향을 받지않고 50-60$mu extrm{m}$/hr의 성장속도를 나타내었으나 표면특성과 결정성은 향상되었다. 110$0^{circ}C$에서 성장된 후막 GaN는 DCXRD측정결과 451arcsec의 반티폭을 나타내었으며, PL측정결과 10K에서 19meV의 반치폭을 나타내었다. Ga 공급원의 온도가 93$0^{circ}C$에서 77$0^{circ}C$로 감소하여도 성장속도는 영향을 받지 않았으나, 77$0^{circ}C$의 온도에서 GaN의 결정성이 향상되었다. HCI의 양이 5sccm에서 20sccm으로 증가함에 따라 성장속도가 15$mu extrm{m}$/hr에서 60$mu extrm{m}$/hr으로 증가하였으며, 표면특성도 향상되었다.