- 광전자분광법을 이용한 Pd-실리사이드의 형성 연구
- ㆍ 저자명
- 조은진,최일상,이한길,황찬용
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1997년|6권 2호|pp.165-171 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
Pd금속을 9$AA$보다 많은 양을 Si표면에 증착한 경우에 형성되는 Pd-실리사이드는 순 수한 Pd금속이 쌓이기 전단계인 Pd양이 많은 $Pd_3Si$상이다. 또한, Si표면에 Pd금속을 1$AA$이 상을 증착 하였을 때 형성되는 Pd-실리사이드는 $Pd_2Si$상이다. 그리고, Si표면에 Pd금속을 1 $AA$보다 작은 양을 증착한 Pd 3d 내각준위의 분광을 보면, Pd의 증착 두께가 얇아질수록 Pd 3d 내각준위의 반높이에서 반너비(half width at half maximum:HWHM)의 크기가 넓어진 다. 매우 작은 양의 Pd금속을 Si표면에 증착한 경우에 반너비가 넓어진 이유는 많은 연구자 들이 찾아낸 Pd-실리사이드인 $Pd_2Si$상외에 Si양이 많은 새로운 Pd-실리사이드인 PdSi상이 존재하는 것 때문이다.
If the thickness of Pd deposited is larger than 9$AA$, its phase is $Pd_3Si$. This phase is followed by pure Pd phase with further deposition of Pd. Also, when the thickness of Pd deposited on top of Si(111) is larger than 1$AA$, the phase of Pd-silicide formed is found to be Pd2Si. The full width at half maximum of Pd 3d core-levels increases with decreasing of Pd film thickness at low coverages ($leq0.5AA$). This is due to the formation of additional phase of Pd silicide, i.e. PdSi, in addition to $Pd_2Si$.