현재 자동차나 선박등에 사용하는 직류모터 속도 제어용 스위칭 소자는 스위칭 과전압으로 인하여 때때로 손상되거나 오작동을 일으키기쉽다. 본논문은 dc 모터 제어용 반도체 스위칭소자의 내성특성을 개선한 것이다. 이를 위하여, 먼저 저전압 보호소자인 비리스터나 제너 다이오드 등 가운데에서 스위칭 과전압에 대해 내성을 갖는 이상적인 소자를 선택하기 위해 과전압 보호자의 등가회로를 분석 하였다. 나아가서 국제규정에서 정의된 의사 과전압 파형의 적절한 선택, 스위칭 소자의 손상과정과 손상원인을 규명하고, 순시과전압 전류의 변화에 따른 각각의 임피던스 조건을 고려하여 직류모터 제어용 반도체 스위칭 소자의 내성특성 개선하였다.
The switching components to control the speed of dc motor, which perform vital fuction in a modern motor vehicle or a ship, are susceptibile to suffer damage or upset by switching transient. An equivalent circuit was derived, in this paper, to select an ideal component having immunity against the switching transient among varisotor, zenner diode, etc. Furthermore, we have carried out the optimal improved transient protection circuit design in the view of cost effectiveness, proper wave form of transient defined by the international regulations. The process and cause of the damages in the switching components were examined. Then, the immunity improvement of semiconductor switching components to control a dc motor has been achieved considering impedance condition accoring to the variation of the diverting transient current.
