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PCS 주파수 대역 단일 게이트 MESFET 혼합기의 제작
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  • PCS 주파수 대역 단일 게이트 MESFET 혼합기의 제작
저자명
이성용,임인성,한상철,류정기,오승엽
간행물명
韓國電磁波學會論文誌
권/호정보
1998년|9권 1호|pp.25-33 (9 pages)
발행정보
한국전자파학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문은 PCS(개인 휴대 통신) 주파수대역에서의 단일게이트 MESFET 혼합기의 설계 및 제작에 대해 기 술하였다. 주파수 대역이 1965-2025 MHz이고 IF가 140 MHz인 PCS용 혼합기활 제작하기 위해 초고주파용 시율레이터 EESOF LIBRA를 이용하여 설계하였다. 정합회로로 사각 뱀돌이 인덕터, 평판형 캐패시터, 개방스 터브를 이용하였고 마이크로펜과 소자용접기를 사용하여 제작하였다. 실힘한 결과 w전력이 10 dBm일 때 혼합 기의 최대 변환이득은 $6.69pm0.65$ dB, 반사계수는 $-14.9pm3.5$ dB였고 LO /IF 분리도는 주파수가 1855 MHz인 경우 57.83 dB였다. 이 혼합기를 PCS 단말기의 수신단에 사용하는 경우, 다이오드 믹서 사용시의 변환손실을 보상하기 위한 중간증폭기를 사용하지 않아도 되는 장점이 있다.

기타언어초록

In this paper, we describe a single-gate MESFET mixer at PCS(Personal Communication Service) frequency band. The PCS frequency band is 1965~2025 MHz in FR and 140 MHz in IF irrespectly. The design of the mixer was executed by microwave simulator, EEsof Libra. The matching network is consisted of rectangular inductor, MIM capacitor and open stub. The ma- nufacture work was accomplished by the micro-pen and wedge-bonder. The mixer showed $6.69pm0.65$ dB of conversion gain, $-14.9pm3.5$dB of RF reflection coefficient and 57.83 dB of LO/IF isolation at 10 dBm of LO power when LO frequency is 1855 MHz. When this mixer is used at PCS terminal, IF-amplifier which compensates the conversion loss of diode mixer may be omitted.