n-well Si(100) 영역에 $BF_{2}$를 이온주입 [에너지: 30KeV, 주입량 : $5 imes10^{15}cm^{-2}$] 하고 Co($120AA$)/Ti($40AA$)이중막을 진공증착하여 RTA-silicidation을 통해 Co/Ti 이중막 실리사이드층을 갖는 p+ -n극저접합 다이오드를 제작하였다. 제작된 소자의 이상계수와 비접촉저항 및 누설전류는 각각 1.06, $1.2 imes10^{-6}Omegacdot extrm{cm}^2$, $8.6muA/ extrm{cm}^2$(-3V)로 나타났으며 실리사이드층을 갖는 이미터 영역의 면저항은 약 $8OmegaBox$로, 실리상이드/실리콘 계면에서 보론 농도는 약 $6 imes10^{19}cm^{-3}$으로, 실리사이드 두께(~$500AA$)를 포함한 접합깊이는 약 $0.14mu{m}$로 형성되었다. 다이오드 제작에서 Co/Ti 이중막 실리사이드 층의 형성은 소자의 누설전류를 다소 증가시켰으나 이상계수의 개선과 이미터 영역의 면저항 및 비접촉저항의 감소를 가져왔다.
The p*-n ultra shallow junction diode with Co/Ti bilayer silicide was formed by ion implantation of $BF_{2}$ energy : 30KeV, dose : $5 imes10^{15}cm^{-2}$] onto the n-well Si(100) region and RTA-silicidation of the evaporated Co($120AA$)/Ti($40AA$) double layer. The fabricated diode exhibited ideality factor of 1.06, specific contact resistance of $1.2 imes10^{-6}Omegacdot extrm{cm}^2$ and leakage current of $8.6muA/ extrm{cm}^2$(-3V) under the reverse bias of 3V. The sheet resistance of silicided emitter region, the boron concentration at silicide/Si interface and the junction depth including silicide layer of ($500AA$ were about $8OmegaBox$, $6 imes10^{19}cm^{-3}$, and $0.14mu{m}$, respectively. In the fabrication of diode, the application of Co/Ti bilayer silicide brought improvement of ideality factor on the current-voltage characteristics as well as reduction of emitter sheet resistance and specific contact resistance, while it led to a little increase of leakage current.
