본 연구에서는 E-GSM 단말기용 RF Transceiver 칩의 송신부에 대한 회로설계 및 시뮬레이션, 공정 및 제작, 평가를 수행하였다. AMS社의 0.8${mu}m$ BiCMOS 공정으로 제작된 RF-IC 칩은 $10 { imes} 10mm$ 크기의 80 pin TQFP로 제작되었으며, 3.3V에서 동작하고 양호한 RF 특성을 보였다. 본 논문에서는 IF/RF 상향변조 주파수 혼합기, IF/RF polyphase, 전치증폭기 등을 포함하는 송신부의 개발 결과를 서술하고자 한다. 송산단의 측정결과 E-GSM RF 송신단 주파수인 880~915MHz에서 양호하게 동작하며, 소비전류는 71mA이고 총출력은 8.2dBm으로 측정되었다.
The Transmitter part of single RF transceiver chip for an extended GSM handset application was circuit-designed, fabricated adn evaluated. The RF-IC Chip was processed by 0.8${mu}m$ Si BiCMOS, 80 pin TQFP of $10 { imes} 10mm$ size, 3.3V operated RF-IC reveals, in general, quite reasonable integrity and RF performances. This paper describes development resuts of RF transmitter section, which includes IF/RF up-conversion mixer, IF/RF polyphase and pre-amplifier. The test results show that RF transmitter section is well operated within frequency range of 880~915MHz, which is defined on the extended GSM(E-GSM) specification. The transmitter section also reveals moderate power consumption of 71mA and total output power of 8.2dBm.
