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무열분해법으로 증착한 $SnO_2$ 박막의 방향성과 결함구조
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  • 무열분해법으로 증착한 $SnO_2$ 박막의 방향성과 결함구조
저자명
김태희,박경봉,Kim. Tae-Heui,Park. Kyung-Bong
간행물명
태양에너지
권/호정보
1998년|18권 2호|pp.137-144 (8 pages)
발행정보
한국태양에너지학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

분무열분해법으로 $SnO_2$ 박막을 증착하여 기판표면의 온도에 따른 방향성과 결함을 조사하였다. 기판의 온도가 $300^{circ}C$일 때부터 결정성 박막이 증착되었다. 기판의 온도가 $400^{circ}C$까지 증가함에 따라 (200)면이 우선적으로 성장하였으며 결정립의 크기도 증가하였다. Sb를 첨가하지 않은 박막은 Sn과 O로 구성되어 있으며 산소공위를 포함한다. Sb를 첨가한 박막은 산소공위 외에 Sn 위치와 O 위치에 각각 치환된 Sb와 Cl을 가진다.

기타언어초록

Tin oxide films deposited by spray pyrolysis have defects and preferred orientations according to the temperature of substrate. The growth of crystalline deposits began at the substrate temperature of $300^{circ}C$. With increasing substrate temperature the plane (200) groved preferentially and above $400^{circ}C$, planes of higher indices. Grain size increased with increasing substrate temperature up to $400^{circ}C$. Undoped film is composed of Sn and O, and contains oxygen vacancies. Film doped with antimony has defects such as oxygen vacancies, antimony substituted on Sn and chlorine on oxygen.