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고주파 마그네트론 스퍼터링에 의한 $SrTiO_3$ 캐패시터 박막의 온도 의존성
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  • 고주파 마그네트론 스퍼터링에 의한 $SrTiO_3$ 캐패시터 박막의 온도 의존성
저자명
오금곤,이우선,김남오,김재민,이병성,김상용,Oh. Gum-Kon,Lee. Woo-Sun,Kim. Nam-Oh,Kim. Jai-Min,Lee. Byung-Sung,Kim. Sang-Yong
간행물명
전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문
권/호정보
1999년|48권 6호|pp.429-435 (7 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The $SrTiO_3$ thin films were prepared on Ag/TiN-coated and p-type bare Si(100) substrates by r.f. magnetron sputtering deposition technique. The electrical properties of the deposited films were investigated, which controlling deposition parameters such as substrate temperature and film thickness. The electrical properties ofthe $SrTiO_3$ films were measured using the capacitance-voltage(C-V) technique. The thickness dependence of the electrical properties of the $SrTiO_3$ films was analyzed of the connection with the films in series. The substrate affected the crystal structure and texture characteristics of the $SrTiO_3$ films. The resistivity of the film, sandwiched between Al and Ag films was measured, as a function of the temperature.