액상의 Ga으로부터 공급되느 기체상태의 Ga과 $NH _3$를 $1050~1150^{circ}C$의 온도범위에서 직접 반응시켜 사파이어 기판위에 직경이 5~27$mu extrm{m}$이고, 높이가 $2~27mu extrm{m}$인 육각기둥 형태의 GaN 결정을 성장하였다. GaN 결정의 성장 초기에는 c-축 방향으로 우선 성장된 후 성장시간과 성장온도 및 $NH_3$의 유량이 증가함에 따라 기체상태의 Ga공급이 제한됨으로써 성장률이 둔화됨과 동시에 $alpha$-축 방향으로 우선 성장되었다. GaN 결정의 크기가 증가함에 따라 결정의 품질이 개선되어 X-선 회절강도와 중성도너에 구속된 엑시톤 관력 발광밴드 (Iulcorner)의 강도가 증가하고, Iulcorner 발광밴드의 반치폭이 감소하였다.