SOI 소자에서의 바디 전압 안정화를 위한 실리콘 필름 Island 구조

SOI 소자에서의 바디 전압 안정화를 위한 실리콘 필름 Island 구조
Stabilization of Body Bias Control in SOI Devices by Adopting Si Film Island

ㆍ 저자명: 정인영,이종호,박영준,민홍식,Chung. In-Young,Lee. Jong-Ho,Park. Young-June,Min. Hong-Shick
ㆍ 간행물명: 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D
ㆍ 권/호정보: 1999년|1호|pp.100-106 (7 pages)
ㆍ 발행정보: 대한전자공학회
ㆍ 파일정보: 정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야: 기타

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서지반출

기타언어초록

SOI MOSFET에서 바디 전압을 안정시키기 위하여 바디 저항과 콘택 소모면적을 줄이면서도 SOI 고유의 장점을 그대로 유지시키는 IBC(Island Body Contact) 구조를 창안하였다. 이 구조는 여러 MOSFEET 들의 바디를 서로 연결하여 같이 콘택을 형성함으로써 면적의 증가 없이 훌륭한 바디 콘택효과를 갖게 된다. VLSI 소자로서의 그 가능성을 소자 시뮬레이션과 제작된 소자와 회로의 측정실험을 통하여 확인하였다.

기타언어초록

A new IBC(Island Body Contact) structure is introduced to SOI CMOS VLSI for stabilizing the body potential of the MOSFET without the additional area consumption. The improvement of the body contact effect is achieved by reducing the body resistance and the area is saved as the bodies of the MOSFETs are connected together. Its property as VLSI device is confirmed through the device simulations and the measurement.

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