박막 전계발광소자의 새로운 형광체를 개발하기 위하여 $Mg._5Zn._5SiN_2:Tb$ 및 $Mg._5Zn._5SiN_2:Eu$ 형광체를 합성한 후, 각각 및 발광 및 음극선 발광 특성을 조사하였다. 합성된 각각의 형광체의 빛 발광 스펙트럼과 음극선 발광 스펙트럼은 동일하였으며, Tb 도는 Eu 발광 중심체의 고유한 발광 기구에 의해서 발광하는 것으로 확인되었다. 전자빔 증착 장비로 제작된 $Mg._8Zn._2SiN_2:Eu$ 박막 전계발광소자의 CIE 색 좌표는 x=0.47, y=0.46, 문턱 전압은 47V 및 최대 전압 80V에서의 휘도는 23.5 cd/cm^2$를 나타내었다. 또한 박막 전계발광소자의 capacitance-voltage 특성과 charge-voltage 특성 등의 전기적 특성도 함께 측정되었다.
The $Mg._5Zn._5SiN_2:Tb$ and $Mg._5Zn._5SiN_2:Eu$ materials were synthesized and studied to develop new phosphors for thin-film electroluminescent device application. Photoluminescence and cathodoluminescence characteristics of the synthesized phosphors were similar to general emission spectra of Eu, Tb ion, respectively. The CIE color coordinates, threshold voltage and luminance of the $Mg._8Zn._2SiN_2:Eu$ thin-film electroluminescent device fabricated by electron-beam deposition system were x=0.47, y=0.46, 47V, and 23.5 cd/$cm^2$ at 80V, respectively. The capacitance-voltage and charge-voltage characteristics of the thin film electroluminescent devices were also measured.
