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다중 클락 주기의 지연체인을 이용한 정밀한 지연발생 회로
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  • 다중 클락 주기의 지연체인을 이용한 정밀한 지연발생 회로
저자명
박준영,강진구,Park. Jun-Young,Kang. Jin-Ku
간행물명
전기전자학회논문지
권/호정보
1999년|3권 1호|pp.50-56 (7 pages)
발행정보
한국전기전자학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문은 정밀한 클락 지연을 발생하는 회로 기법을 제안하였다. 이 기법은 지연 체인을 다중 클락 주기에 록킹(Locking)시켜서 개별 지연단(Delay Stage)의 지연보다 작은 지연 해상도를 갖도록 하는 것이다. 이 기법으로 단위 셀이 750ps의 지연시간을 갖는 지연체인에서 DLL(Delay Locked Loop)을 이용하여 250ps의 지연간격을 갖는 지연 발생회로를 설계하였다. 제안한 회로는 지연체인이 클락 신호 주기의 3배에 록킹이 되도록 하였으며, 1.5um CMOS공정의 모의 실험을 통해 단위지연셀 지연시간의 1/3인 250ps의 지연간격을 발생함을 확인하였다.

기타언어초록

This paper presents a new technique for generating precise clock delays. The technique can obtain finer timing resolution less than the gate delay of the delay chain by locking in multiple clock period. Using this technique, a 250ps of timing resolution could be achieved from a 750ps delay of the single delay stage in a DLL(Delay Locked Loop) structure. The delay chain of the proposed circuit is locked on three times of the clock period and a finer delay resolution than the absolute gate delay is achieved and verified through the simulation.