REFET(reference electrode field-effect transistor)의 사용은 기준전각의 집적화 및 FET형 전해질 센서가 가지고 있는 온도와 빛의 의존성, 드리프트와 같은 전형적인 문제점들을 해결할 수 있는 효과적인 방법이다. 그러나 언급한 문제를 해결하기 위한 신뢰성 높은 REFET의 제작은 매우 어렵고 까다롭다. 본 논문에서는 고분자 이중층을 이용한 이온 방해막을 형성하여 고신뢰성의 REFET를 제작하여 FET형 전해질 센서에 적용하였다. 제작된 REFET를 pH, pNa-ISFET에 적용하여 측정한 결과, 정상적인 감도(55.4mV/pH, 53.5mV/decade)와 안정도를 보였으며, 드리프트 감소도 향상되었다.
A FET-type reference electrode(REFET) is an effective method to eliminate typical problems with ISFET(ion sensitive field-effect transistor) such as drift, temperature, light-dependence and miniaturization of reference electrode. However, it is difficult to make the highly reliable REFET with excellent long-term stability and reproducibility. In this paper, an ion-blocking membrane was applied to the REFET for the PET-type electrolyte sensors(pH, pNa-ISFET). The fabricated REFET indicated the stable sensitivity (55.4 mV/pH, 53.5 mV/decade) and good linearity in the pH and pNa measurement. In the measurement, ISFET/Pt/REFET configuration showed excellent stability and reproducibility.
