약 90 nm 두께의 비정질 TaSiN박막을 poly-Si and $SiO_2/Si$ 기판 위에 rf magnetron sputtering법으로 증착하였다. TaSiN박막은 산소부위기에서 열처리 시 $ 900^{circ}C$까지 결정화되지 않는 비정질 상을 보였다. 산소의 확산 깊이는 산소분위기 열처리 온도가 증가함에 따라 증가하였으며 $650^{circ}C$, 30분 열처리시 $Ta_{23}Si_{29}N_{48}$의 경우 약 20 nm의 깊이까지 확산되었다. $Ta_{23}Si_{29}N_{48}$ 박막의 증착 후 비저항은 약 $1,300{mu}{Omega}-cm$의 값을 보였지만 산소분위기 열처리시 $700^{circ}C$ 이상에서 급격히 증가하였다.
Amorphous TaSiN thin films of about 90 nm thick were deposited onto poly-Si and $SiO_2/Si$ substrates by rf magnetron sputtering method. TaSiN films exhibited amorphous phase with no crystllization up to $900^{circ}C$ in oxygen ambient. The penetration depth of oxygen diffusion increased with increasing annealing temperature in oxygen ambient and reached 20 nm deep in a $Ta_{23}Si_{29}N_{48}$ layer at $600^{circ}C$ for 30min. The resistivity of as-deposited $Ta_{23}Si_{29}N_{48}$ thin films was about $1,300{mu}{Omega}-cm$, however those of annealed films markedly increased above $700^{circ}C$ in oxygen ambient as the annealing temperature increased.
