자외선 검출소자로 응용될 수 있는 우수한 특성을 지진 $Al_xGa_{1-x}N$ 박막을 MOCVD 법으로 성장시킨 후 박막의 구조적인 특성을 조사하였다. 사파이어 기판 위에 성장된 $Al_xGa_{1-x}N$의 물리적인 특성을 평가하기 위해 Synchrotron Radiation XRD를 사용하였다. $Al_xGa_{1-x}N$의 두께가 커질수록 박막의 결정성은 증가하였으며 아래층은 Undoped GaN의 결정성과 성장된 $Al_xGa_{1-x}N$의 결정성이 서로 비례적인 상관관계를 가지고 있음을 알아내었다. Al 조성비는 막질에 크게 영향을 주었으며 조성비가 높아질수록 표면 형상은 매우 나빠졌다.
$Al_xGa_{1-x}N$ thin layers are promising materials for optical devices in the UV regions. $Al_xGa_{1-x}N$ thin layers w were grown on sapphire substrates by metalorgaruc chemical vapor deposition (MOCVD). The molar Al fraction and crystallinity of layers were deduced from synchrotron x-ray scattering experiment. Surface morphology were investigated using SEM and SPM. $Al_xGa_{1-x}N$ layers crystallinity were related with undoped GaN crystallinity. The Al mole fraction of $Al_xGa_{1-x}N$ layers affect the surface morphology of $Al_xGa_{1-x}N$ layers. The surface morphology was roughe ened and the cracks were obse$pi$ed by increasing the Al mole fractions.
