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2.4 GHz WLL 단말기용 GaAs MESFET MMIC 송신기 설계 및 제작
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  • 2.4 GHz WLL 단말기용 GaAs MESFET MMIC 송신기 설계 및 제작
저자명
성진봉,홍성용,김민건,김해천,임종원,이재진
간행물명
韓國電磁波學會論文誌
권/호정보
2000년|11권 1호|pp.84-92 (9 pages)
발행정보
한국전자파학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

2.4 GHz 대역 WLL 단말기용 GaAs MESFET MMIC 송신기를 설계하고 제작하였다. 설계된 송신기는 이중 평형 능동형 혼합기와 전압 부궤환 구조를 갖는 2단 구동증폭기로 구성하였다. 특히, 한 쌍의 소스 접지-게이트 접지(Common-Source. Common -Gate: CSCG) 구조를 사용하여 IF 입력 선호의 비대칭성으로 인한 동작영역 감소를 보상하였다. 또한 MESFET의 단자간 위상 특성을 이용하여 국부 발진기(La) 신호의 누설 전력을 억제 하였다. 제작된 칩의 크기는 $0.75 imes1.75 mm^2$이었고 측정 결과 2.7 V. 55.2 mA에서 386 dB의 변환이득. 11.6 dBm 의 출력$P_{idB}$ 구동증폭기의 RF 출력 -5dBm에서 - 31.5 dBc의 IMD3의 특성을 얻었다. 따라서 제작된 송신기는 WLL 단말기에 적용 가능하다.

기타언어초록

A GaAs MESFET MMIC transmitter for 2.4 GHz wireless local loop handset is designed and fabricated. The transmitter consists of a double balanced active mixer and a two stage driver amplifier with voltage negative feedback. In particular, a pair of CS-CG(common source-common gate) structure compensates the reduction in dynamic range caused by unbalanced complementary IF input signals. And to suppress the leakage local power at RF port, the mixer is designed by using phase characteristic between the ports of MESFET. At the bias condition of 2.7 V and 55.2 mA, the fabricated MMIC transmitter with chip dimensions of $0.75 imes1.75 mm^2$ obtains a measured conversion gain of 38.6 dB, output $P_{idB}$ of 11.6 dBm, and IMD3 at -5 dBm RF output power of -31.3 dBc. This transmitter is well suited for WLL handset.