- III-V 화합물 반도체 마이크로머시닝을 위한 InP를 기반으로 한 미세구조의 제조에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 심준환,노기영,이종현,황상구,홍창희
- ㆍ 간행물명
- 한국해양정보통신학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 2000년|4권 5호|pp.1151-1156 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국해양정보통신학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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본 논문에서는 III-V 화합물 반도체 마이크로머시닝을 위한 InP를 기반으로한 미세구조의 제조에 관하여 보고한다. InP/InGaAsP/InP 구조를 성장시키기 위하여 수직 LPE 시스템을 사용하였다. 성장된 InGaAsP층의 두께는 $0.4mum$이고, InP top-layer의 두께는 $1mum$이었다. InGaAsP 미세구조의 제조는 front-side 벌크 마이크로 머시닝으로 이루어졌다. 실험결과에서 <100> 방향으로 놓인 빔의 에칭이<110>와 <110> 방향에서의 에칭보다 더 빠르기 때문에 빔은 <100> 방향으로 정렬되어야 함을 보였다.
In this paper, we report a fabrication of InP-based microstructurs for III-V compound semiconductor micromachining. Vertical liquid phase epitaxy(LPE) system was used in order to grow the InP/lnGaAsP/InP layers. The thicknesses of InP top-layer and InGaAsP were $1mum ;and ;0.4mum$, respectively. The fabrication of InGaAsP microstructures involves front-side bulk micromachining. The experimental result showed the beams must be carefully aligned in the <100> direction since the etching of the beam in the <100> direction is more faster than that of the beam in the <110> and <110> direction.