실리콘 웨이퍼를 일정한 두께로 에칭하여 실리콘 웨이퍼 표면 근처의 특정영역에 존재하는 금속불순물을 정량하였다. HF와 $HNO_3$의 부피비를 1:3으로 혼합한 용액 5mL로 20분간 실리콘 웨이퍼와 반응 시켰을 때 1${mu}m$ 두께로 웨이퍼 전면을 균일하게 에칭할 수 있었다. 에칭 후, 용액을 중발하기 위해 마이크로파 오븐을 사용하였는데 증발과정에서 spike한 Cu, Ni, Zn, Cr, Mg 및 K의 회수율은 99∼105%였다,Cu를 오염시킨 epitaxial 실리콘 웨이퍼의 경우 에칭법으로 전처리를 하여 ICP${cdot}MS$로 측정한 결과, Cu는 뒷면의 표면으로부터 1∼2${mu}m$ 안의 polysilicon영역에 집중적으로 분포하였고 Cu 농도를 1${mu}m$두께의 범위에서 정량할 수 있었다.
The metal impurities in specific regions at near surface of silicon wafer were determined by constant depth etching·lt is possible to etch uniformly over the entire wafer surface by 1$mu extrm{m}$ depth with 5 mL of etching solution made up of HF and HNO$_3$ mixed by l:3 volume ratio. The microwave oven was used to evaporate the solution after etching. After spiking, The recoveries of Cu, Ni, Zn, Cr, Mg and K were found to be 99∼105%ted in polysilicon region and could be quantified by 1$mu extrm{m}$ depth
