본 논문에서는 레벨셋 방법을 이용한 표면 전진기를 사용하여 반도체 공정에서 3차원 증착 프로파일을 계산하는 방법을 보고한다. 레벨셋 방법을 이용하여 효율적으로 표면의 전진, 후퇴를 모델링 하기 위하여 반복법에 의한 초기화 방법을 새로이 개발하였다. 또한, 각각의 위치에서의 증착 및 식각률을 계산하기 위하여 소스에서 표면까지의 가시도 계산 방법과 표면 반사 모델을 개발하였다. 3차원 표면 전진기로 그림자 효과와 표면 반사가 고려된 계산을 수행하였다. 흡착 계수가 1인 경우와 0.3인 경우를 비교하여 반사, 스퍼터링에 의한 증착 프로파일의 변화를 비교하였다. 그리고 종횡비에 따른 증착률의 차이를 그림자 효과에 의한 가시각의 차이로 비교하였다.
This paper reports a new calculation method of three dimensional deposeition rate by level set method. To model an advancement of the surface efficiently, we have developed a new iteration method to re-initialize the level set function. For calculating etching and deposition rate by direct flow, we have developed a visibility test module and a refraction and re-sputtering model. Sputter deposition rate with shadow effect and surface refraction is calculated. We report that difference of profiles in cases that sticking coefficient are 1.0 and 0.3. We report that the difference of the deposition rate on bottom of the hole is caused by a difference of visible angle by the shadowing effect.
