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Ca 치환량에 따른 SCT 박막의 제조 및 전기적 특성
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  • Ca 치환량에 따른 SCT 박막의 제조 및 전기적 특성
저자명
김진사,이준웅,Kim. Jin-Sa,Lee. Joon-Ung
간행물명
전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문
권/호정보
2000년|49권 10호|pp.559-563 (5 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The $(Sr_{1-x}Ca_x)TiO_3(SCT)$ thin films are deposited on Pt-coated(Pt/TiN/$SiO_2$/Si) using RF sputtering method with substitutional contents of Ca. The maximum grain of thin films is obtained by substitution of Ca at 15[mol%]. Also the composition of SCT thin films were closed to stoichiometry(1.081∼1.117 in A/B/ ratio). The dielectric constant was increased with increasing the substitutional contents of Ca, while it was decreased if the substitutional contents of Ca exceeded over 15[mol%]. The dielectric constant changes almost linearly in temperature ranges of -80∼+90[^${circ}C$]. The temperature properties of the dielectric loss have a stable value within 0.02 independent of the substitutional contents of Ca. All SCT thin films used in this study show the phenomena of dielectric relaxation with the increase of frequency, and the relaxation frequency is observed above 2000[kHz]. The current-voltage characteristics of SCT15 thin films showed the increasing leakage current as the measuring temperature increase.