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직류 및 고주파 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 Ti-Al-V-N 박막의 특성
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  • 직류 및 고주파 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 Ti-Al-V-N 박막의 특성
  • Characterizations of Ti-Al-V-N Films Deposited by DC and RF Reactive Magnetron Sputtering
저자명
손용운,정인화,이영기,Sohn. Yong-Un,Chung. In-Wha,Lee. Young-Ki
간행물명
열처리공학회지
권/호정보
2000년|13권 6호|pp.398-404 (7 pages)
발행정보
한국열처리공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The Ti-Al-V-N films have been deposited on various substrates by d.c and r.f reactive magnetron sputtering from a Ti-6Al-4V alloy target in mixed $Ar-N_2$ discharges. The films were investigated by means of XRD, AES, SEM/EDX, microhardness, TG and scratch test. The XRD and SEM results indicated that the films were of single B1 NaCl phase having dense columnar structure with the (111) preferred orientation. The composition of Ti-Al-V-N film was the Ti-7.1Al-4.3V-N(wt%) films. Adhesion and microhardness of Ti-Al-V-N films deposited by r.f magnetron sputtering method were better than those deposited by d.c magnetron sputtering method. The anti-oxidation properties of Ti-Al-V-N films were also superior to that of Ti-N film deposited by the same deposition conditions.