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정공 주입층 특성에 따른 발광층에서의 재결합 영역 변화
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  • 정공 주입층 특성에 따른 발광층에서의 재결합 영역 변화
저자명
한우미,임은주,이정윤,김명식,이기진
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2001년|14권 8호|pp.675-678 (4 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

We fabricated the organic light emittign diodes (OLEDs) with ITO/Cu-Pc/triphenyl-diamine (TPD)/TPD+tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq$_3$)/Al. The electrical properties of Cu-Pc thin film were studied as a hole injection layer. the energy gap of Cu-Pc thin films is decreased according to the substrate heat treatment temperature increased. It could be controlled the hole mobility by changing the heat treatment condition of Cu-Pc. The emission wavelengths could be controlled by changing hole mobility and recombination zone in emission layer.