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Phase Stability of Bi-2212 and Bi-2223 Thin Films Prepared by IBS Technique
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  • Phase Stability of Bi-2212 and Bi-2223 Thin Films Prepared by IBS Technique
  • Phase Stability of Bi-2212 and Bi-2223 Thin Films Prepared by IBS Technique
저자명
Yang. Sung-Ho,Park. Yong-Pil
간행물명
Transactions on electrical and electronic materials
권/호정보
2001년|2권 1호|pp.12-15 (4 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Bi-2212 and Bi-2223 thin films are prepared by IBS(ion beam sputtering) technique. Three phases of Bi-2201, Bi-2212 and Bi-2223 appear as stable ones in spite of the conditions for thin film fabrication of Bi-2212 and Bi-2223 compositions, depending on substrate temperature (T $_{sub}$) and ozone pressure(PO$_3$). It is found out that these phases are limited within very narrow temperature.e.