붕산용액에서 양극산화법으로 장벽형 산화피막을 형성시킨 후 미세조직을 관찰하였다. 양극산화시 인가되는 전압에 따른 피막의 성장속도는 1.54nm/v의 직선적인 관계를 나타냈으며 300v의 인가전압에서 생성된 산화피막의 조직은 50$0^{circ}C$에서 열처리하였을 경우 피막의 상 전이가 일어나지 않았으나 높은 인가전압에서 생성된 산화피막의 경우는 피막의 조직이 비정질에서 ${gamma}$-alumina로 변태되는 것이 관찰되었다. 또한 피막이 전자빔 조사에 의해서도 ${gamma}$-alumina로 전이가 일어났다.
Microstructures of barrier-type oxide layers on aluminum was studied by XRD, TEM and RBS. Fer formation of oxide layer. aluminum was anodized in a boric acid solution. The thickness of the oxide film subjected to applied voltage increased linearly at ratio of 1.54nm/V. For oxide layer anodized at 300V, amorphous structure of oxide layer was not transformed after heat treatment at 50$0^{circ}C$ , while for oxide layers anodized at higher voltages the amorphous structure crystallized into a ${gamma}$-alumina without any heat treatment. It was also found that the amorphous structure of oxide layer formed at 100V transformed into crystalline structure by electron irradiation. The structure was identified as ${gamma}$-alumina.
