AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT를 이용한 MIMIC Power Amplifier 제작 연구

AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT를 이용한 MIMIC Power Amplifier 제작 연구

ㆍ 저자명: 이성대,채연식,윤용순,윤진섭,이응호,이진구,Lee. Seong-Dae,Chae. Yeon-Sik,Yun. Yong-Sun,Yun. Jin-Seop,Lee. Eung-Ho,Lee. Jin-Gu
ㆍ 간행물명: 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체
ㆍ 권/호정보: 2001년|38권 1호|pp.30-36 (7 pages)
ㆍ 발행정보: 대한전자공학회
ㆍ 파일정보: 정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야: 기타

이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.

서지반출

기타언어초록

본 논문에서는 전자선 묘화 방법을 이용하여 게이트 길이가 0.35 ㎛인 AlGaAs/InGaAs PHEMT를 제작하였다. 다른 게이트 폭과 게이트 핑거 수를 갖도록 제작된 PHEMT의 DC 및 AC 특성은 여러 가지의 바이어스 조건에서 측정하였다. 또한, 제작된 PHEMT와 수동 소자의 라이브러리를 이용하여 35 GHz에서 동작 가능한 MIMIC 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제작된 MIMIC 전력증폭기는 27.6 GHz에서 7.9㏈의 이득과 -15 ㏈의 입력 반사 계수를 나타내었다.

기타언어초록

0.35 ${mu}{ extrm}{m}$-gate AlGaAs/InGaAs PHEMTs have been fabricated using electron beam lithography. DC and AC characteristics of PHEMTs having different gate widths and number of fingers were measured at various bias conditions. An MIMIC power amplifier operating at 35 GHz has been designed and fabricated using passive element library. The power amplifier showed gain and input reflection coefficient of 7.9 ㏈ and -15 ㏈, respectively, at 27.6 GHz.

다운URL