본 논문에서는 μspring 패키지의 구조와 제조공정을 소개하고, 전기적 특성을 μBGA와 비교 분석한 결과를 제시하였다. μBGA에서와 같이 μSpring 패키지의 연결선 인덕턴스 값은 기존의 TSOP 패키지의 반 이하로서 월등한 고속 신호 전달 특성을 제공하게 된다. 또한 μSpring CSP 패키지의 경우 가장 열악한 substrate trace를 가진 핀에서도 2.9nH로 평가되어, Rambus DRAM module의 인덕턴스 규격 상한 값 4nH에 비하여, 약 25% 정도의 margin을 제공한다. μSpring CSP패키지는 μBGA의 약 50%의 제조 비용으로서 μBGA가 만족시키지 못하는 JEDEC Level 1 규격을 충족시킬 뿐만 아니라, thermal cycle 1000회를 통과하는 높은 신뢰성을 제공하여 강력한 경쟁력을 가진다.
This paper presents the structure of a $mu$Spring package, its fabrication process and an analysis of its electrical characteristics compared to that of a $mu$BGA. It was found that both $mu$BGA and $mu$Spring packages provide with outstanding high speed signal transmission characteristics due to their lower inductance of package interconnection lines, smaller than half of inductance of TSOP package lines. Even the worst case substrate trace of a Rambus DRAM $mu$Spring package yields the line inductance of 2.9nH, which provides with 25% margin compared to the Rambus DRAM specification of 4nH. The fabrication cost of $mu$Spring package is lower than that of $mu$BGA by 50%, passes 1000 thermal cycles, meets JEDEC Level 1 specification whereas $mu$BGA does not, and thereby yields high reliability and strong competing power.
