강유전 물질인 Pb0.99［(Zr06Sn0.4)/0.9/Ti0.1］0.98/Nb0.02O₃(PNZST) 박막을 10 mole%의 과잉 PbO가 첨가된 타겟을 이용하여 La0.5Sr0.5CoO₃(LSCO)/Pt/Ti/SiO₂/Si 기판상에 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착하였다. 증착된 박막에 대하여 온도와 시간을 다양하게 변화시키면서 급속 열처리(rapid thermal annealing) 한 후, 그 결정성과 전기적 특성을 조사하였다. 80 W의 RF 전력, 500 ℃의 기판온도에서 증착한 후, 급속 열처리된 박막이 페로브스카이트상으로 결정화되었으며, 650 ℃, 공기중에서 10초동안 급속 열처리된 박막이 가장 우수한 결정성을 나타내었다. 이러한 박막으로 제작된 PNZST 커패시터는 약 20 μC/㎠정도의 잔류 분극과 약 50 kV/cm 정도의 항전계를 나타내었으며, 2.2×109의 스위칭 후에도 잔류분극의 감소는 10 %미만이었다.
Ferroelectric P $b_{0.99}$［(Z $r_{0}$ 6S $n_{0.4}$)/0.9/ $Ti_{0.1}$］0.98/N $b_{0.02}$ $O_3$(PNZST) thin films were deposited by a RF magnetron sputtering on L $a_{0.5}$S $r_{0.5}$Co $O_3$(LSCO)/Pt/Ti/ $SiO_2$/Si substrate using a PNZST target with excess PbO of 10 mole%. The crystallinity and electrical properties of the thin films annealed at various temperature and time were investigated. The thin films deposited at the substrate temperature of 500 $^{circ}C$ and the power of 80 W were crystallized to a perovskite phase after rapid thermal annealing(RTA). The thin films annealed at 650 $^{circ}C$ for 10 seconds in air exhibited the good crystal structures. The remanent polarization and coercive field of the PNZST capacitor were about 20 $mu$C/$ extrm{cm}^2$ and 50 kV/cm, respectively. The reduction of the polarization after 2.2$ imes$10$^{9}$ switching cycles was less than 10 %..10 %......
