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無加壓 열처리에 의한 ${eta}$-SIC-TiB$_2$ 複合體의 製造와 特性
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  • 無加壓 열처리에 의한 ${eta}$-SIC-TiB$_2$ 複合體의 製造와 特性
저자명
신용덕,주진영,박미림,Shin. Yong-Deok,Ju. Jin-Young,Park. Mi-Lim
간행물명
전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문
권/호정보
2001년|50권 5호|pp.221-225 (5 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The effect of $Al_2O_3+Y_2O_3$ additives on fracture toughness of ${eta}-SiC-TiB_2$ composites by hot-pressed sintering was investigated. The ${eta}-SiC-TiB_2$ ceramic composites were hot-press sintered and pressureless-annealed by adding 16, 20, 24 wt% ${eta}-SiC-TiB_2$(6:4 wt%) powder as a liquid forming additives at low temperature(1800 $^{circ}C$) for 4 h. Phase analysis of composites by XRD revealed mostly of ${alpha}$-SiC(6H), $TiB_2$, and YAG($Al_5Y_3O_{12}$). The relative density was over 95-88 % of the theoretical density, and the porosity increased with increasing $Al_2O_3+Y_2O_3$ contents because of the increasing tendency of pore formation. The fracture toughness showed the highest value of 5.88 MPa${cdot}m^{1/2}$ for composites added with 20 wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$ additives at room temperature. The electrical resistivity showed the lowest value of $5.22{ imes}10^{-4};{Omega};{cdot};cm$ for composite added with 20 wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$ additives at room temperature, and was all positive temperature coefficeint resistance(PTCR) against temperature up to 900 $^{circ}C$