초고주파 대역의 전력증폭기로 주로 사용되는 트랜지스터는 전력 효율 측면에서 AB급 또는 B급 바이어스로 동작하게 된다. 고출력 트랜지스터가 AB급 바이어스 또는 B급 바이어스로 동작하게 되면 트랜지스터의 입력전력의 증가에 따라 3차 혼변조 성분에 Sweet spot이 발생하게 된다. 본 논문은 고출력 트랜지스터를 AB급 바이어스로 동작시켜 발생한 Sweet spot에서의 3차 혼변조 신호의 상대적인 위상 변화량은 실험을 통하여 측정하였다. 실험 결과로 3차 혼변조 신호의 Sweet spot에서의 약 $180^{circ}$ 정도의 상대적 위상 변화량이 발생함을 측정하였다.
When the high power transistor is used for amplifier in microwave frequency, the bias of transistor is usually AB-class or B-c1ass because of power efficiency. The sweet spot point having small IMD signal compared with near neighborhood exicts frequently in the high power transistor using AB class bias or B-class bias. On the sweet spot, the magnitude and phase of the main and IMD signal of HPA output change as the input signal power change, respective the relative phase on the sweet spot changes rapidly. If we know exactly the magnitude and phase characteristics of IMD signal, we can design a more adequate linearizer and understand the characteristics of transistor. In this paper the magnitude and phase of the main and IMD signal of HPA output on the sweet spot are measured using the designed hardware.
