- Indium oxide계 후막 센서의 이산화 질소 감지 특성
- ㆍ 저자명
- 최성호,박종욱,Choi. Sung-Ho,Park. Chong-Ook
- ㆍ 간행물명
- 센서학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2002년|11권 4호|pp.224-229 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국센서학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Indium Oxide-base 후막형 가스센서의 이산화질소($NO_2$) 감지특성을 조사하였다. 기본 감지물질로는 $In_2O_3$, ITO(indium tin oxide)를 사용하였고. 여기에 $WO_3$와 Pd, Pt 귀금속 촉매를 첨가하여 이산화질소에 대한 반응특성을 실험하였다. 감도, 회복특성을 고려할 때, $350^{circ}C$의 히터구동온도에서 가장 우수한 반응특성을 보였다. 1wt% 이상 $WO_3$ 첨가시에 반응 감도(sensitivity)가 증가하였고, 귀금속 촉매인 Pd, Pt에 의해서도 감도특성이 향상되었다. 또한, 반복 on-off 실험을 해서 신호의 안정성을 확인하였고 장기안정성 test에서도 우수한 특성을 나타내었다.
The thick film of indium oxide-based semiconductor for the $NO_2$ detection have been prepared and their characteristics were investigated. It was shown that the optimum operating temperature of the sensors are $350^{circ}C$ for $In_2O_3$-based sensor. $NO_2$ sensitivity increased as the $WO_3$ concentration increased to more than 1wt%. The addition of Pd and Pt also enhanced the sensitivity to $NO_2$. Indium oxide-based sensors showed excellent reproducibility and stability for the detection of $NO_2$.