- SiGe HBT를 이용한 50 MHz~3 GHz 대역폭의 광대역 증폭기 IC 설계
- ㆍ 저자명
- 이호성,김병성,박수균
- ㆍ 간행물명
- 韓國電磁波學會論文誌
- ㆍ 권/호정보
- 2002년|13권 1호|pp.68-73 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전자파학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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본 논문에서는 타키오닉스의 SiGe HBT 파운더리를 이용하여 50 MHz에서 3 GHz까지 동작하는 광대역 RFIC 증폭기를 구현한다. 평탄한 이득특성과 광대역 임피던스 정합을 위하여 voltage-shunt 피드백 구조를 이용하였으며, 저주파 소신호 해석을 이용하여 설계 파라메터의 초기값을 결정하였다. 설계시점에서 HBT의 대신호 모델이 준비되지 않았기 때문에 저주파에서 유효한 튜닝보드를 제작하여 설계 파라메터를 미세 조정하였다. 제작된 증폭기는 12 dB 이득에 1 dB 이득 변동특성을 갖고 있으며, P1 dB는 850 MHz에서 15 dBm이다.
This paper presents the implementation of wide-band RFIC amplifier operating from near 50 MHz to 3 GHz using Tachyonics SiGe HBT foundry. Voltage shunt feedback is used for the flat gain and the broad band impedance matching. Initial design parameters are calculated through the low frequency small signal analysis. Since the HBT model was not available at the design time, discrete tuning board was made for fine adjustment in the low frequency range. Fabricated amplifier shows 12 dB gain with 1 dB fluctuation and P1 dB reaches 15 dBm at 850 MHz.