- 저전력 8-비트 마이크로콘트롤러의 설계
- ㆍ 저자명
- 이상재,정항근,Lee. Sang-Jae,Jeong. Hang-Geun
- ㆍ 간행물명
- 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체
- ㆍ 권/호정보
- 2002년|39권 2호|pp.63-71 (9 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전자공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
본 논문에서는 저전력 8-비트 RISC 마이크로콘트롤러 구조를 제안하였다. 설계된 마이크로콘트롤러는 4단계 파이프라인 구조를 가지며 기존의 여러 가지 저전력 설계 기법들을 이용하여 구현되었다. 전력 소모는 0.6㎛ 공정을 사용했을 때 MIPS당 600㎼를 소모했으며 0.25㎛ 공정을 사용했을 때 MIPS당 70㎼를 소모했다. RTL 레벨의 설계는 VHDL을 이용해서 수행되었고, 0.6㎛/0.2㎛ CMOS IDEC(Integrated Circuit Design Education Center) standard cell library를 이용해서 게이트 레벨에서 기능 검증을 하였다. 합성된 코어는 0.25㎛ 공정을 용했을 때 약 7000개의 NAND 게이트를 0.36㎟의 작은 면적에 집적화 시킬 수 있었다. 마지막으로 기존의 상용 마이크로콘트롤러와의 성능 비교를 수행하였다.
This paper suggests a 8-bit RISC microcontroller, which has a 4-stage pipeline architecture. Many low-power design techniques that have been proposed by previous works are adopted into it. The proposed microcontroller consumes only 600㎼ per MIPS for 0.6 ${mu}{ extrm}{m}$ CMOS process and even lower power of 70㎼ per MIPS for 0.25${mu}{ extrm}{m}$ process. The RTL level design of this microcontroller is carried out using VHDL. The functional verification is thoroughly done at the gate level using 0.6${mu}{ extrm}{m}$/0.25${mu}{ extrm}{m}$ CMOS IDEC standard cell library. This microcontroller contains 7000 NAND gates on a 0.36$ extrm{mm}^2$ die using 0.25${mu}{ extrm}{m}$ process. Finally the comparison of power consumption with other conventional microcontrollers is provided.