GHz에서 동작하는 초미세 MOSFET의 BSIM3 MOSFET 모델에 연결하여 사용할 수 있는 기판 회로망 모델과 그에 따른 물리적 의미를 가지는 직접 파라미터 추출법이 제안되었다. 제안된 기판 회로망에는 관례적인 저항과 링-형태의 기판콘택에 의해 생성된 단일의 인덕터가 포함되었다. 모델 파라미터는 최적화 과정 없이 단절된 게이트와 공통-벌크 구성을 갖는 MOS 트랜지스터에서 측정된 S-파라미터로부터 추출되었다. 제안된 모델링 기술은 다양한 크기의 MOS 트랜지스터에 적용되었고, 30GHz까지 그 타당성이 검증되었다.
In this paper, a substrate network model to be used with BSIM3 MOSFET model for submicron MOSFETs in giga hertz frequencies and its direct parameter extraction with physically meaningful values are proposed. The proposed substrate network model includes a conventional resistance and single inductance originated from ring-type substrate contacts around active devices. Model parameters are extracted from S-parameter data measured from common-bulk configured MOS transistors with floating gate and use where needed without any optimization process. The proposed modeling technique has been applied to various-sized MOS transistors. The substrate model has been validated for frequency up to 300Hz.
